레이저 다이오드 및 장치 유형
레이저 다이오드 및 장치 유형.
레이저 다이오드 — 다이오드 기반 반도체 레이저.
레이저 다이오드:
레이저 다이오드 — 반도체 레이저, 에 구축 다이오드. 발광과 달리 다이오드, 광자의 자발적 방출에 기반한, 레이저 다이오드 결정의 작동 원리와 구조가 더 복잡합니다..
레이저 다이오드 구조에서 반도체 결정, 얇은 판 형태로 만들어진. 반도체 전자 부품을 만드는 판에, 그것은 양면에서 합금되어 한 손으로, 그것은 n- 영역이었다, 그리고 다른 p- 영역에서.
결정에서 동일한 매개 변수를 사용하여 광자의 자극 방출 메커니즘을 시작하기 위해 두 개의 측면이있는 광학 공진기를 형성합니다. (끝면) 매끄러운 평행면을 형성하기 위해 크리스탈의 연마. 무작위 광자 자발 방출, 공진기를 통과하면 강제 재조합이 발생합니다., 동일한 매개 변수로 새 광자 생성, 자극의 메커니즘 시작 방사.
회절로 인해, 일관된 반도체 결정을 떠나 빛 흩어져, 그래서 좁은 빔의 형성은 렌즈를 수집하는 데 사용됩니다.
제조에 사용되는 주요 재료 레이저 다이오드는 갈륨 비소 GaAs입니다, 알루미늄 갈륨 비소 AlGaAs, 갈륨 인화물 GaP, 질화 갈륨 GaN, 인듐 갈륨 질화물 InGaN 및 기타.
레이저 다이오드의 유형과 장점:
이중 헤테로 구조를 가진 레이저:
가장 자주, 구현 레이저 – 기반 더블 이종 구조 갈륨 비소 사용 (GaAs) 및 알루미늄 비소 갈륨 (AlGaAs). 두 개의 서로 다른 반도체의 이러한 각 조합을 이종 구조라고합니다.. 이러한 장치에서 금지 구역이 더 넓은 두 재료 층 사이에 좁은 간격이있는 재료 층. 장점 레이저 수 이중 헤테로 구조는 전자와 정공의 공존 영역 (“활성 영역”) 얇은 중간층으로 둘러싸여 있습니다. 게다가, 빛은 heterojunctions에서 반사됩니다, 그건, 방사선은 가장 효과적인 증폭으로 완전히 둘러싸여 있습니다.
양자 우물이있는 다이오드:
이중 헤테로 구조를 가진 다이오드의 중간층을 더 얇게 만드는 경우이 층은 다음과 같이 작동합니다. 금액 구멍. 이것은 수직 방향으로, 전자 에너지가 양자화되기 시작합니다. 방사선 생성에 사용할 수있는 양자 우물의 에너지 수준의 차이는 잠재적 인 장벽입니다.. 이 접근법은 방출 파장 제어의 관점에서 매우 효과적입니다., 중간층의 두께에 따라 달라집니다. 이것의 효과 레이저 단층에 비해 높음 레이저 복사 과정에 포함 된 전자와 정공의 밀도가 더 균일 한 분포를 가지기 때문입니다..
별도의 유지 기능이있는 이기종 랜드 매스 레이저:
이질적인 토지 질량의 주요 문제 레이저 수 얇은 층-효과적인 빛 제한의 불가능. 그것을 극복하기 위해, 크리스탈의 양면에 또 다른 두 층을 추가합니다. 이 층은 중앙 층에 비해 굴절률이 낮습니다.. 이 구조는 빛을 더 효과적으로 유지합니다..
피드백이 분산 된 레이저:
레이저 분산 된 피드백 (ROS) 다중 주파수 시스템에서 자주 사용됩니다., 섬유-광통신. p-n 접합 영역의 파장을 안정화하기 위해 회절 격자를 형성하는 가로 노치를 생성합니다.. 이 절개를 통해, 단 하나의 파장의 복사가 캐비티로 다시 들어가고 추가 강화에 관여합니다.. DFB 레이저는 안정적인 파장을 가지고 있습니다., 생산 단계 단계에서 결정되는 노치, 그러나 온도에 따라 약간의 영향을받을 수 있습니다..
레이저 다이오드가 사용됩니다.:
– 에 광섬유 네트워크;
– 다양한 측정 장비, 같은 레이저 거리 측정기, 바퀴;
– 에 레이저 포인터, 기타;
– HD DVD 및 Blu-Ray의 비디오 플레이어 CD 및 DVD 디스크.
