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El transistor IGBT, administrado bajos niveles de potencia.

 

 

IGBT un transistor igbt, que combina dos de los transistores en una de semiconductores de la estructura: bipolar (forma de potencia en el canal) y de campo (formando un canal de control).

 

Descripción

El principio de funcionamiento de

Ventajas

La aplicación de

 


Descripción:

IGBT un transistor igbt, que combina dos de los transistores en una de semiconductores de la estructura: bipolar (forma de potencia en el canal) y de campo (formando un canal de control), tiene las características de salida bipolar transistor (la gran tensión de trabajo permitida) y las características de los transistores de conmutación (mínimos costes de gestión).

IGBT transistor tiene tres terminales: G – la “válvula” C “colector”, E “emisor”:

 

 

Los módulos de potencia IGBT y MOSFET pueden ser intercambiables, pero de alta frecuencia baja tensión cascadas normalmente se utiliza transistores MOSFET, y en potentes de alta tensión – IGBT.

 


Principio de funcionamiento:

La potencia del transistor IGBT se controla mediante la tensión aplicada al administrado electrodo-“el cerrojo”, que está aislado del circuito de alimentación eléctrica. Después de la presentación de una tensión positiva entre el cerrojo y la escorrentía se produce la apertura de los transistores de conmutación (se forma n-canal entre fuente y drenaje). El movimiento de las cargas desde el área de n en el área de p, se abre el trastorno bipolar el transistor y el surgimiento de la corriente de emisor a colector de escape. Por lo tanto, el campo de transistor controla el funcionamiento bipolar.

 


Ventajas:

– alta densidad de corriente;

pequeñas estáticos y dinámicos de la pérdida;

– resistencia al cortocircuito;

alta resistencia de entrada, el bajo nivel de potencia de control;

– baja el valor de la tensión residual en estado de encendido;

pequeñas pérdidas en el estado abierto cuando las corrientes grandes y altas tensiones;

– características de la conmutación y la conductividad bipolar transistor;

control de la tensión. La falta de control en los modos estáticos y en general de bajo consumo en los circuitos de alimentación permite prescindir de la galvánicamente aislados de los circuitos de control discreto de los elementos y crear circuitos integrados controladores;

– la aplicación de IGBT – módulos en sistemas de gestión de тяговыми motores permite (en comparación con тиристорными de dispositivos de proporcionar un alto rendimiento, alta suavidad de marcha de la máquina y la posibilidad de aplicar un frenado regenerativo en casi cualquier velocidad.

 

Aplicación:

cuando se trabaja con altas tensiones (más de 1000), altas temperaturas (100 °C) y alta potencia de salida (de más de 5 kw);

en los circuitos de control de motores (cuando la frecuencia de trabajo de menos de 20 khz), fuentes de alimentación ininterrumpida (con carga constante y de baja frecuencia) y la soldadura de los aparatos (donde se requiere de alta intensidad y baja frecuencia de hasta 50 khz);

los inversores, supresión de los reguladores de corriente, los variadores de velocidad.