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Transistor IGBT, nivel de potencia bajo controlado.
Transistor IGBT: un transistor bipolar con puerta aislada, combinando dos transistores en una estructura semiconductora de un bipolar (formando la línea eléctrica) y campo (formando un canal de control).
El principio de funcionamiento
Descripción:
Transistor IGBT: un transistor bipolar con puerta aislada, combinando dos transistores en una estructura semiconductora de un bipolar (formando la línea eléctrica) y campo (formando un canal de control), y tiene características de salida de un transistor bipolar (gran tensión de funcionamiento admisible) y las características de entrada del MOSFET (el costo mínimo de control).
El transistor IGBT tiene tres pines: G - “tornillo”, C - “coleccionista”, E - “emisor”:
Los módulos de potencia IGBT y MOSFET se pueden usar indistintamente, pero para cascadas de alta frecuencia y baja tensión se suelen utilizar transistores MOSFET y alta tensión - IGBT.
Principio de funcionamiento:
El transistor IGBT de potencia se controla mediante un voltaje aplicado al electrodo accionado.“portón”, que está aislado del circuito de potencia. Después de un voltaje positivo entre la puerta y el drenaje, se abre un transistor de efecto de campo. (formado por canal n entre la fuente y el drenaje). El movimiento de cargos de la región n a la región p conduce al descubrimiento del transistor bipolar y provoca un flujo de corriente desde el emisor al colector. Así, el transistor de efecto de campo controla el funcionamiento del bipolar.
Ventajas:
- alta densidad de corriente;
- pequeñas pérdidas estáticas y dinámicas;
- resistencia al cortocircuito;
- alta impedancia de entrada, baja potencia de control;
- valor bajo de voltaje residual en estado encendido;
- pequeñas pérdidas en estado abierto a altas corrientes y altos voltajes;
- características de conmutación y conductividad del transistor bipolar;
- control de voltaje. La ausencia de corriente de control en modos estáticos y el bajo consumo general en circuitos., poder le permite abandonar los circuitos de control aislados galvánicamente en elementos discretos y crear los controladores de circuito integrado;
- el uso de módulos IGBT en los sistemas manejo de la tracción motores permite (en comparación con los dispositivos de tiristores) para proporcionar alta eficiencia, alta suavidad de la máquina y posibilidad de aplicación de frenado regenerativo casi a cualquier velocidad.
Solicitud:
- cuando se trabaja con altos voltajes (>1,000 V), alta temperatura (terminado 100 ° C) y alta potencia de salida (terminado 5 kW);
- circuitos de control para los motores (a la frecuencia de funcionamiento inferior a 20 kHz), las fuentes de fuente de poder ininterrumpible (carga constante y baja frecuencia) y máquinas de soldar (que requieren alta corriente y baja frecuencia hasta 50 kHz);
- inversores, reguladores de pulso de la corriente, accionamientos de frecuencia variable.
